pnp和npn的导通 条件都是发射极结正向偏置，但导通可以放大或饱和，这需要由集电极结的状态来控制。如果集电极结反向偏置，则被放大，晶体管导通 条件晶体管导通 条件:晶体管导通 条件是:发射极结，如何用pnp晶体管放大电流驱动多个led？如果他们是导通 what 条件...不一样。
NPN:当B大于E 导通，B小于等于S，PNP:当B大于等于E，B小于E 导通。NPN高电平导通，低电平截止！PNP低导通。NPN: VC > VB > VE(发射极结正向偏置，集电极结反向偏置。三极管处于放大状态)；PNP:VcB点电位> C点电位，放大后条件。)3.饱和区:以发射极结和集电极结正向偏置为特征。
集电极可以没有电阻，但基极电阻与发光二极管的数量和型号有关。建议连接1k的可调电阻进行调试。如果电压为5v，如果LED的工作电压为3.2V，则LED从集电极接到地，发射极从电阻R2接到电源 ，基极从电阻R1接到地。设工作电流为I，晶体管UEC Uec1.2V，那么R2的电压为5(3.2 1.2)0.6V，R20.6/I，Ub50.70.63.7v，R13.7/(I/β)。
是的，由于温度的影响，三极管和电阻R1、R2的参数随着温度的变化而变化，Ub随着温度的变化而变化，Ib也随着温度的变化而变化。同样，Ic也有变化(虽然变化不大)。如果三极管的基极到电源串有两个二极管，那么Ub到电源的电压就是一个定值，Ub不会随着三极管和电阻R1的变化而变化。LED是电流器件，对电流比较敏感，所以LED驱动电路基本都采用恒流源电路。
3、NPN和PNP 导通 条件和带负载有什么区别?NPN和PNP只有电源极性相反(当然偏置电压极性也相反)。除此之外，没什么区别。两者都可以导通，只要基极加正电压，集电极正偏，发射极反偏。Us是输入信号，通常是放大信号，通常是AC。Vcc是电源，通常是DC。比如共发射极放大电路，利用输入信号控制电源电压，这个电压反映在三极管的集电极上。pnp和npn的导通 条件都是发射极结正向偏置，但导通可以放大或饱和，这需要由集电极结的状态来控制。如果集电极结反向偏置，则被放大。
4、三极管PNP...NPN它们 导通 条件一样吗?如果让它们 导通要满足什么 条件...不同。NPN要求基极比发射极高0.3V，集电极的电位比基极高。而PNP的发射极电位最高，基极比发射极低0.3V，所以会是导通。上面提到的0.3V是锗管的理论值，而硅管的理论值约为0.7v..实际值可能更低。不一样，NPN要求基极比发射极高0.3V，集电极的电位比基极高。而PNP的发射极电位最高，基极比发射极低0.3V，所以会是导通。
5、三极管的 导通 条件是啥?transistor导通条件是:发射极结加直流电压，集电极结加反向电压。发射极结加直流电压是基极和发射极之间加的电压Ube，按箭头方向是PN结的电压，后面是硅管加0.7V；锗管加0.2V v .给集电极结加反向电压就是给集电极结的PN结加反向电压ube，吸引基区的电荷。这个电压比较高，手机里一般1 ~ 3.6V。PNP晶体管的电压为Ue>Ub>Uc，
6、三极管 导通的 条件三极管的导通 条件:三极管的导通 条件是:发射极结加直流电压，集电极结加反向电压。发射极结加直流电压是基极和发射极之间加的电压UB，锗管加0.2V集电极结加反向电压，即集电极结PN结加反向电压ube，吸引基区电荷。这个电压比较高，手机里一般1 ~ 3.6V，PNP晶体管的导通电压为UE > UB > UC。
