石墨烯的制备，石墨烯主要制备方法

1，石墨烯主要制备方法

1、微机械剥离法方法：用光刻胶将其粘到玻璃衬底上，再用透明胶带反复撕揭，然后将多余的高定向热解石墨去除并将粘有微片的玻璃衬底放入丙酮溶液中进行超声，最后将单晶硅片放入丙酮溶剂中，利用范德华力或毛细管力将单层石墨烯“捞出”。缺点：产物尺寸不易控制，无法可靠地制备出长度足够的石墨烯，不能满足工业化需求。2、外延生长法方法：在高温下加热SiC单晶体，使得SiC表面的Si原子被蒸发而脱离表面，剩下的C原子通过自组形式重构，从而得到基于SiC衬底的石墨烯。缺点：对制备所需的sic晶面要求极高，而且在sic上生长的石墨烯难以剥离。3、化学气相沉积法（CVD法）方法：将碳氢化合物甲烷、乙醇等通入到高温加热的金属基底表面，反应持续一定时间后进行冷却，冷却过程中在基底表面便会形成数层或单层石墨烯。缺点：制备所需条件苛刻，需要高温高真空。成本高，生长完成后需要腐蚀铜箔的到石墨烯。

石墨烯主要制备方法

2，石墨烯的制备新材料大功能

导语：社会在不断地发展，科技的脚步从不曾停下，我们生活的世界里所有东西都在朝更快速、更便捷的方向发展。科学家们通过一些物理反应或化学合成，制造出不同的材料，以建造更薄运行更快速的产品。石墨烯广泛运用于电子产品制造，它的制备方法也是多种多样，本文就为您介绍它的物理制备方法和化学制备方法。　　　　一、物理法制备石墨烯　　物理方法通常是以廉价的石墨或膨胀石墨为原料，通过机械剥离法、取向附生法、液相或气相直接剥离法来制备单层或多层石墨烯。这些方法原料易得, 操作相对简单，合成的石墨烯的纯度高、缺陷较少。　　　　取向附生法—晶膜生长　　Peter W.Sutter等使用稀有金属钌作为生长基质，利用基质的原子结构“种”出了石墨烯。首先在1150°C下让C原子渗入钌中，然后冷却至850°C，之前吸收的大量碳原子就会浮到钌表面，在整个基质表面形成镜片形状的单层碳原子“孤岛”，“孤岛”逐渐长大，最终长成一层完整的石墨烯。第一层覆盖率达80 %后，第二层开始生长，底层的石墨烯与基质间存在强烈的交互作用，第二层形成后就前一层与基质几乎完全分离，只剩下弱电耦合，这样制得了单层石墨烯薄片。但采用这种方法生产的石墨烯薄片往往厚度不均匀，且石墨烯和基质之间的黏合会影响制得的石墨烯薄片的特性。　　　　二、化学法制备石墨烯　　目前实验室用石墨烯主要通过化学方法来制备，该法最早以苯环或其它芳香体系为核，通过多步偶联反应使苯环或大芳香环上6个C均被取代，循环往复，使芳香体系变大，得到一定尺寸的平面结构的石墨烯。在此基础上人们不断加以改进，使得氧化石墨还原法成为最具有潜力和发展前途的合成石墨烯及其材料的方法。除此之外，化学气相沉积法和晶体外延生长法也可用于大规模制备高纯度的石墨烯。　　很多我们使用的产品都是合成材料制成的，而这些合成材料是科学家们经过不断的尝试通过物理制备或者化学制备的方法制成，使用在生活中，为人们的生活提供了方便。石墨烯是从石墨中提炼出的，而制备的方法是多种多样，本文为您介绍了石墨烯的物理制备方法以及化学制备方法，希望您对这种材料的制备方法有更多的了解。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~