电阻和温度的关系，电阻和温度有什么关系

1，电阻和温度有什么关系

要看什么材质，关系是不一定的。对于正温度系数的材质，温度越高，电阻越大；对于负温度系数的材质，温度越高，电阻越小。还有些材质，其电阻与温度的关系很小。

温度升高，电阻越大。举例你开灯时间过长，灯不亮了，说明灯的电阻很大。说明温度越高，电阻越大

电阻和温度有什么关系

2，电阻与温度的关系

和导体的材料有关：一般导体，温度越高电阻越大，呈现正温度系数特性。一般半导体，温度越高电阻越小，呈现负温度特性。

一般来讲，如果是金属导体的电阻，是和温度成正比例的关系，即温度越高，电阻的阻值越大。但是如果是半导体做成的电阻，(如光敏电阻,对光信号敏感，会依光的强弱改变阻值，其他诸如湿敏电阻，热敏电阻）则是与温度成反比关系，即温度高组织小。

电阻与温度的关系

3，温度和电阻有什么关系

温度越高，电阻越大，成正比

nizebao2005 说得好~~

大部分导体的电阻随温度的长度而增大，比如一个100W的日炽灯灯丝，当没有发光时（即在常温下）其电阻只有四五十欧，而当正常发光时，其温度可以达到2000摄氏度以上，此时其电阻也将增大到大约484欧。但也并不是所有的物体的电阻都是随温度的升高而增大，比如玻璃，常温下电阻很大，一般我们把它看作是绝缘体，但当其温度升高时电阻就会减小，电阻升高到一定高度时，其电阻也会变得很小。所以，我们只能说大部分导体的电阻随温度的升高而增大，而不能说所有的物体电阻都是随温度的升高而增大。

温度和电阻有什么关系

4，电阻与温度的关系是什么拜托各位了 3Q

在常温下是反比例的关系。温度高，电阻大。如灯丝，未通电时电阻很小，点亮后温度高了，电阻很大。

同一物质当中温度和电阻成正相关再看看别人怎么说的。

导体的电阻与温度有关。纯金属的电阻随温度的升高电阻增大，温度升高1℃电阻值要增大千分之几。碳和绝缘体的电阻随温度的升高阻值减小。半导体电阻值与温度的关系很大，温度稍有增加电阻值减小很大。有的合金如康铜和锰铜的电阻与温度变化的关系不大。电阻随温度变化的这几种情况都很有用处。利用电阻与温度变化的关系可制造电阻温度计，铂电阻温度计能测量—263℃到1000℃的温度，半导体锗温度计可测量很低的温度。康铜和锰铜是制造标准电阻的好材料。例如：电灯泡的灯丝用钨丝制造，灯丝正常发光时的电阻要比常温下的电阻大多少？钨的电阻随温度升高而增大，温度升高1℃电阻约增大千分之五。灯丝发光时温度约2000℃，所以，电阻值约增大10倍。灯丝发光时的电阻比不发光时大得多，刚接通电路时灯丝电阻小电流很大，用电设备容易在这瞬间损坏。

5，电阻与温度之间的函数关系式是什么

跟材料有关系没有固定点金属导电是电子导电，电子在电场的作用下做定向漂移运动，形成金属中的电流。电子在金属导体中定向运动时，受到的阻碍作用愈小，导体呈现的电阻就愈小。反之，电子运动受到的阻碍作用愈大，它运动得就愈不自由，导体所呈现的电阻就愈大。电子在定向漂移运动中，受到的阻碍作用是电子与金属中晶体点阵上的原子实碰撞产生的。在金属导体中，晶体点阵上的原子实，虽然基本上保持规则的排列，但并不是静止不动的。每个原子实都在自己的规则位置附近不停地做热振动，整个导体中原子实的热振动并没有统一步调。这样，就在一定程度上破坏了原子实排列的规则性，形成了对电子运动的阻碍作用。原子实的热振动离开自己规则位置愈远，与电子相碰的机会愈多，电子漂移受到的阻碍作用就愈大，导体呈现的电阻也就大起来了。综上所述，问题的答案就不难得出来了，因为温度升高时，原子实的热振动加强，振动的幅度加大，于是，做定向漂移的电子与原子实相碰的机会增多，碰撞次数也增加，所以，金属导体的电阻就增加了。对于纯金属来说，电阻随温度的变化比较规则；在温度变化范围不大时，电阻与温度之间的关系为 R ＝ R 0 ＋（ 1 ＋α t ）式中 R 0 是 0 ℃时金属导体的电阻，α为该金属导体的电阻温度系数。不同金属材料的电阻温度系数α亦不相同。但有些合金的电阻随温度变化很小

6，电阻和温度的关系

金属导体温度越高，电阻越大，温度越低，电阻越小。超导现象:当温度降低到一定程度时，某些材料电阻消失。电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 计算值 80 A t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235，铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0(1+αt)，式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ ，金属长度只膨胀约0.001%) ，在考虑金属电阻随温度变化时，其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 (1+αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。扩展资料：电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化，单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数，它的单位是1代，其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2--t1) 式中R1--温度为t1时的电阻值，Ω; R2--温度为t2时的电阻值，Ω。电阻温度系数并不恒定而是一个随着温度而变化的值。随着温度的增加，电阻温度系数变小。因此，我们所说的电阻温度系数都是针对特定的温度的。对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射，与温度具有很强的相关性。实际的金属由于工艺的影响，造成它的晶格结构不再完整，例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在，电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此，实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。参考资料：百度百科——电阻温度系数

有的电阻随着温度的身高变小，有的电阻随着温度的身高电阻值超大

温度对不同物质的电阻值均有不同的影晌。导电体在接近室温的温度，良导体的电阻值，通常与温度成正比：R＝R0＋aT上式中的a称为电阻的温度系数。半导体未经掺杂的半导体的电阻随温度而下降，两者成几何关系：R＝R0×e^(a/T)有掺杂的半导体变化较为复杂。当温度从绝对零度上升，半导体的电阻先是减少，到了绝大部份的带电粒子 (电子或电洞/空穴) 离开了它们的载体后，电阻会因带电粒子的活动力下降而随温度稍为上升。当温度升得更高，半导体会产生新的载体 (和未经掺杂的半导体一样) ，原有的载体 (因渗杂而产生者) 重要性下降，于是电阻会再度下降。

金属导体温度越高，电阻越大，温度越低，电阻越小。超导现象:当温度降低到一定程度时，某些材料电阻消失。

在长度、粗细、材料一定的情况下，温度越高电阻越大，但是一般温度的影响忽略不计