极管2三极管的工作模式无法详细描述，但我们需要知道一点:NPN型三极管，电流输运需要通过发射极结将电子注入基极区,三极管在深度饱和的状态下，Ic=Ib的关系不成立，三极管的发射极结和集电极结正向偏置导通，就像电路中闭合的开关,饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定，饱和电流与三极管无关，一般在ce电压小至0.4V三极管just饱和时。
1、什么是 三极管放大电路的 饱和失真和截止失真,如何避免?饱和失真是指在动态条件下，放大器电路的一部分工作点进入饱和区所引起的失真。截止失真是指在动态条件下，放大器电路的部分工作点进入截止区而引起的失真。三极管的输出和输入正好相反，即负极性输出。假设输入为正弦波，静态工作点恰到好处，即VQ=Vp-p/2，那么当输入波形为正半周时，输出电压波形与负半周波形完全相同；当输入波形为负半周时，输出电压波形与正半周波形完全相同。
避免失真的解决方法:切断失真的解决方法是保证输入信号UiUon输入时三极管为on。饱和解决畸变的方法增大VCC因为三极管 饱和的根本原因是集电极结收集电子的能力不足，增大VCC可以增强集电极收集电子的能力，但必须保证VCC在三极管的可容忍范围内，在RC和管之间。增加基极电阻RB，降低基极电流，使集电极电流IC=IB。在集电极电阻RC和集电极电源VCC不变的情况下，集电极电压增加VCE=VCC-IBRC，使集电极收集电子的能力增强，消除了饱和的损耗。
2、我问: 三极管·什么是“深度 饱和状态”当三极管的基极电流增加但集电极电流不增加时，就是饱和。饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定，饱和电流与三极管无关，一般在ce电压小至0.4V三极管just饱和时。它的本质是at 饱和，发射极和集电极正向偏置，所以相当于短路。当基极电流乘以放大倍数等于或略大于集电极电流时，为浅度饱和。当基极电流乘以放大系数远大于集电极电流时，深度为饱和。三极管在深度饱和的状态下，Ic=Ib的关系不成立，三极管的发射极结和集电极结正向偏置导通，就像电路中闭合的开关。
3、NPN型 三极管的截止与 饱和状态1三极管2三极管的工作模式无法详细描述，但我们需要知道一点:NPN型三极管，电流输运需要通过发射极结将电子注入基极区。2.1发射极结反向。一旦发射极结反转，集电极结反转，基极区就没有电子注入，所有电平都没有电流，就处于关断模式。2.2发射极结正偏置。当发射极结正偏置时，每个极点都有电流。在放大模式下，控制电流，而在饱和模式下，不控制电流。3 饱和模式上的图是饱和模式载流子的移动被发射极结VBE正向偏置:许多电子正向转移，发射极结的IEN1转移到集电极结的ICN1。
4、请问什么是 三极管的 饱和深度?当三极管的基极电流增加但集电极电流不增加时，为饱和，假设负载电阻为1K，VCC为5V，当饱和，最大电阻电流为5mA，假设= 1005/10。1.在实际工作中，Ib*=V/R常作为判断临界的条件饱和，根据Ib*=V/R计算出的Ib值只是使晶体管进入饱和的初始状态，实际上要比这个值多取几倍才能达到真正的饱和。倍数越大，饱和的程度越深。
