基极电流，物理中静态基极电流是什么意思

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1，物理中静态基极电流是什么意思
2，开关三极管导通时基极电流怎么算
3，求基极电流和输出电压
4，基极电流达到多少时三极管饱和比如90139012之类的
5，此三极管基极电流是多大
6，怎样计算基极发射极之间的电流大小
7，基极电流达到多少时三极管饱和比如90139012之类的

1，物理中静态基极电流是什么意思

这个问题有点专业，基极电流是指哪个部分的电流？

是指没接信号时的电流吗?一般人家说静态电流是,基极、集电极、发射极,

物理中静态基极电流是什么意思

2，开关三极管导通时基极电流怎么算

基极只要有电流三极管就会导通。导通有两种，一种是放大状态，一种是饱和状态。你没说是哪种状态。

开关三极管导通时基极电流怎么算

3，求基极电流和输出电压

先r1，r2分压求出基极电压，减去0.7V得发射极电压，除以RE得基极电流，知道2N3904的电流放大倍数，算出极射极电流大小，乘以Rc，得到Rc的压降，用9V减去这个压降就得到Vout了

求基极电流和输出电压

4，基极电流达到多少时三极管饱和比如90139012之类的

Uce=Uces，即使在饱和状态下Ube ≈0.7v，9013、9012饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V 。三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的，电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIb>>Ic），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定，即使电源电压不变，如果集电极电阻改变，饱和电流也会改变，当集电极电阻增大时，三极管的饱和电流减小，当集电极电阻减小时，三极管的饱和电流增大。扩展资料：注意事项：1、使用时工作电压或脉冲峰值应小于三极管的V，反向击穿电压。2、在大功率情况下使用应加相应的散热板。3、挑选三极管时应注意三极管的穿透电流和与之相适应的频率特性。4、由于Cbc的存在，当输入信号的频率过高时，Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极，又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差，所以这样也会降低基极的电位，电压增益也由此下降。5、由于半导体制造工艺的原因，三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当输入信号频率达到一定程度时，会使得三极管的放大作用大打折扣，还会因此引起额外的相位差。参考资料来源：百度百科-基极电流参考资料来源：百度百科-晶体管饱和区参考资料来源：百度百科-三极管参考资料来源：百度百科-集电极

5，此三极管基极电流是多大

一楼和二楼所计算的不是基极电流，而是发射极电流。Ie=(V1-0.7)/R2=(5-0.7)/1000=4.3mA而Ie=(β+1)Ib，所以Ib=Ie/(β+1) =4.3mA/(β+1)如果β=100，那么Ib=4.3mA/101=0.043mA=43μA关键就看你的β是多大的了。

这个接法的三极管，集电极与基极同电位且反偏，15.6μA应是漏电流，基极电流应为（5V－0.8V）／1K＝4.2mA

你这个三极管不导通吧，基极跟集电极电位一样啊！

三极管能不能导通、导通程度多大就看基极电流是多大了。具体电流是多大，我没法准确告诉你。一般小信号放大时基极电流都在微安甚至纳安级别，而大功率使用时基极电流也可以高达几安培甚至更大。

发射极电流=（5-0.7）/1000，基极电流=发射极电流/放大系数。

6，怎样计算基极发射极之间的电流大小

晶体管在电路中的工作状态是动态的。在实验中我们平时测定晶体管的工作电流一般都是测量它的“静态工作电流”，测定的也只是个直流工作电流，也只是分析它是不是；1.工作在正常的线性工作点？2.它是不是处于饱和或截止状态？从理论上讲；晶体管的发射机电流=基极电流+集电极电流。这就好办了，只要测出两个数据，其他一个就可以知道了。任何表头都有内阻，这个内阻对本来就很微弱的电流限制很大，我们就排除基极电流不去它测，因为基极电流太小，但引起晶体管的动态变化很大，就只测集电极和发射极电流就行。用表头内阻最小、直流压降最小的表测吧！直接串在线路上。方法是；把敷铜板用刀片划一个缺口，用表笔测就是。然后再补焊。

三极管基极和发射极之间电压是固定的是0.7v,这一是计算方便,二是大体在这范围内,只是并不能用是否0.7v准不准来判断管子工作正不正常.如在前级小信号放大电路中,为了降低噪音,工作电流取得很小,很多都在0.2ma或以下,这时的eb结电压才0.6v可能还不到点,但在饱和状态下可能会达到0.75-0.8v,还有,有些地方还可能会用到锗材料二极管和三极管，它的eb结电压一般说是0.3v,但在0.15v-0.4v之间的都有,都能正常工作.电流是否固定这个问题一看就知道还未入门,三极管是电流控制型元件,要放大的也基本是交变的电流信号,静态工作点虽然调好后就固定了,但在有信号输入时,流入基极的电流就变化了,反映到c或e极就是与b极同步并放大了的信号了,但是这同型号的管子也可以用在不同电路中,静态工作电流也可以完全不同,这时,流过eb结的电流也当然不同了. 懂了吗?不懂再问吧.

7，基极电流达到多少时三极管饱和比如90139012之类的

这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5ma，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V 。判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。饱和的条件：1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。影响饱和的因素：1.集电极电阻越大越容易饱和；2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小；饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地）。扩展资料：三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻越大越容易饱和。3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。参考资料来源：百度百科——基极电流

基极电流达到多少时三极管饱和？这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5ma，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V 这就是9013的特性表：

Vce=VCC（电源电压）-Vc（集电极电压）=VCC-Ic（集电极电流）Rc（集电极电阻）。可以看出，这是一条斜率为-Rc的直线，称为“负载线”。当Ic=0时，Vce=Vcc。当Vce=0时（实际上正常工作时Vce不可能等于0，这是它的特性决定的），Ic=Vcc/Rc。也就是说，Ic不可能大于这个数值。对应的基极电流Ib=Ic/β=Vcc/βRc。这就是饱和基极电流的计算公式。饱和分临界饱和和过度饱和两种状态。当Ib=Vcc/βRc时，三极管基本处于临界饱和状态。当基极电流大于此值的两倍，三极管就基本进入深度饱和状态。三极管深度饱和和临界饱和的Vce差很大。临界饱和压降大，但退出饱和容易；深度饱和压降小但不容易退出饱和。所以，不同用途选择的基极电流是不一样的。还有，饱和压降和集电极电流有直接关系。集电极电阻越小，饱和集电极电流就越大，饱和压降越大。反之也相反。如果集电极电流5毫安时三极管饱和，9013、9012之类的饱和压降一般不超过0.6伏。基极电流超过两倍Vcc/βRc时，一般饱和压降就小到0.3V左右了。具体的可查晶体管手册。如果你手头有某一三极管的输出特性曲线，就可以在此特性曲线上把负载线画出来。它与对应的Ib曲线的交点，就是它在这个电流下的集电极电压。

基极电达到饱合时的电流不是由型号决定的。它与电路形式与参数有关。只要ib＞ic/β就是饱合的状态。又因i/c的大小又与电源压、rc等有关，所以要终合考虑。