PTO、PZT和PZO电子结构的计算结果表明,不同Zr/Ti比的PZT铁电相,在低温PTO、PZT处于铁电相,第一性原理对PTO、PZT与PZO不同相总能量的计算结果表明,PZT压电陶瓷,压电材料PZT锆钛酸铅。本论文对应用于铁电随机存储器的关键组成部分PZT铁电薄膜进行了第一性原理计算以及对PZT薄膜电容制备工艺和性能上进行了研究。
GH93沉淀硬化镍基高温合金GH93特性及应用领域概述：该合金是含有较高的钴和铬的沉淀硬化镍基合金，具有较高的强度和较好的组强稳定性，在815℃以下使用，综合性能良好，用于航空发动机涡轮叶片，小型发动机涡轮盘和紧固件。GH93相近牌号：GH4093Nimonic93(英国)NCK20TA(法)上海勃西曼GH93成分性能上海勃西曼GH93标准GH93热处理制度：a冷轧薄板,
PZT第一性原理计算及其铁电性能研究【摘要】：与传统的EEPROM和FLASH挥发性存储器相比,非挥发性铁电存储器(FeRAM)具有抗辐射、低功耗、快速读写操作、低操作电压等优异特性,从而更适合嵌入式应用的要求。本论文对应用于铁电随机存储器的关键组成部分PZT铁电薄膜进行了第一性原理计算以及对PZT薄膜电容制备工艺和性能上进行了研究。
不同Zr/Ti比的PZT铁电相,和PZO顺电相、铁电相和反铁电相的电子结构。第一性原理对PTO、PZT与PZO不同相总能量的计算结果表明,在低温PTO、PZT处于铁电相,PZO处于反铁电相是由能量最小原理决定。PTO、PZT和PZO电子结构的计算结果表明,B位Ti3d,Zr4d与O2p电子存在强烈的杂化,并且Ti与O的杂化强度大于Zr与O的杂化强度,
3、要锆钛酸铅(PZT锆钛酸铅(PbZrTiO3)缩写为PZT压电应变常数锆钛酸铅4:289m/V锆钛酸铅5:372m/V锆钛酸铅8:225m/V压电电压常数锆钛酸铅4:2.6Vm/N锆钛酸铅5:2.48Vm/N锆钛酸铅8:2.5Vm/N。锆钛酸铅(PbZrTiO3)缩写为PZT压电应变常数锆钛酸铅4:289m/V锆钛酸铅5:372m/V锆钛酸铅8:225m/V压电电压常数锆钛酸铅4:2.6Vm/N锆钛酸铅5:2.48Vm/N锆钛酸铅8:2.5Vm/N\1999年微电子学研究所发表的学术论文一、器件研究室锗硅微波功率异质结双极晶体管张进书，贾宏勇，陈培毅中国电子学，11，1999我们开发了一种简单的与硅工艺兼容的平面工艺，并研制成功适合微波功率应用的SiGe异质结双极晶体管（HBT）。
4、压电材料PZT锆钛酸铅。压电常数(PiezoelectricConstant)是压电体把机械能转变为电能或把电能转变为机械能的转换系数，它反映压电材料弹性（机械）性能与介电性能之间的耦合关系。选择不同的自变量（或者说测量时选用不同的边界条件），可以得到四组压电常数d、g、e、h，其中较常用的是压电常数d，其中压电常数d33是表征压电材料性能的最常用的重要参数之一，一般陶瓷的压电常数越高，压电性能越好。
