肖特基(肖特基)二极管又称肖特基 势垒二极管，是基于势垒金属与半导体的接触，肖特基二极管。肖特基二极管又称肖特基 势垒二极管(简称SBD)，是一种低功耗超高速半导体器件，肖特基接触是指金属与半导体材料接触时，半导体的能带在界面处发生弯曲，形成肖特基 势垒。
1、 肖特基1N5824与1N5822的区别,在此3.3V稳压电路中,可用1N5822代替5824...区别如下:1。1N5822最大正向持续电流3A，反向耐受电压40V；1N5824最大正向持续电流5A，反向耐受电压30V。2.LM2596的最大输出电流是3A，所以和1N5824有一定的余量。如果使用1N5822，而LM2596始终处于满载输出状态，则完全没有余量。这里的输出电压只有3.3V，输入电压只有24V，对于1N5822和1N5824来说都是绰绰有余的，所以在原电路图中使用1N5824是合理的。
扩展资料:肖特基二极管的原理:肖特基二极管是一种金属半导体器件，有贵金属(金、银、铝、铂等。)A作为正极，N型半导体B作为负极，并且在它们之间的接触表面上形成的具有整流特性。因为N型半导体中有大量的电子，而贵金属中只有少量的自由电子，所以电子从高浓度的B向低浓度的A扩散。显然，金属A中没有空穴，所以不存在空穴从A到b的扩散运动。
2、金属与半导体之间的接触 势垒是什么?金属与半导体的接触势垒Yes肖特基势垒。它和其他半导体一样形成PN结、空间电荷区(耗尽层)和接触；它和其他半导体的区别在于，它的空间电荷区(耗尽层)在金属的一侧特别薄。接触势垒也叫接触电位差，是阻止许多相互接触的载体继续相互扩散。只有加上直流电压，这种“扩散”才能继续，才能产生电流。
3、请问各位,欧姆接触与 肖特基接触有什么不同?如何区别?1。定义不同的欧姆接触意味着在接触处有一个纯电阻，电阻越小越好，这样在模块工作时，大部分电压降在有源区而不是接触面。所以它的IV特性是线性的，斜率越大，接触电阻越小，直接影响器件的性能指标。肖特基接触是指金属与半导体材料接触时，半导体的能带在界面处发生弯曲，形成肖特基 势垒。势垒的存在导致界面电阻大。
但是，肖特基联系人有一个大联系人势垒。3.形成条件不同形成欧姆接触有两个前提条件:一是金属与半导体之间有一个低的势垒的高度，二是半导体有高浓度的杂质(N_10EXP12cm3)。前者能增加界面电流中的热激发；后者使半导体的耗尽区变窄，电子有更多的机会直接隧穿，同时降低Rc电阻。
4、ss54 肖特基二极管耗散功率是多少肖特基二极管SS54的参数:型号:SS54重复峰值反向电压:40VRMS电压:28V DC阻断电压:40V平均正向整流电流:5.0A正向峰值浪涌电流@8.3ms正弦半波:150A瞬时直流电压值5.0A:0.55V反向电流@ 25℃: 0.2MA反向电流@ 100℃: 50mA典型结电容:500 Ma。-0/二极管SS54的特点:塑封有94V0金属和硅的结，大部分载体导电表贴应用功耗低，效率高，电流容量大，正向压降小。薄型封装内置应变消除，非常适合自动贴装和低压高频逆变器。续流和极性应用的高温焊接保证:260℃/10秒端子肖特基二极管简介:肖特基二极管以其发明者肖特基肖特基命名，SBD为肖特基。
5、什么是肖脱基效应肖特基 Effect可能参考了Walter 肖特基在不同方面的贡献:Thermionicemission中的肖特基 Schottkyemission效应。这两种物质具有不同的挤压，所以电子不能自由地从具有大挤压的物质跑到具有小挤压的物质。
6、 肖特基二极管,用在什么电路中?肖特基(肖特基)二极管又称肖特基 势垒二极管，是基于势垒由金属和半导体接触形成的二极管，缩写为。与普通二极管(多为PN结形成的硅二极管)相比，最显著的特点是反向恢复时间很短(小到几纳秒)，正向导通压降更低，只有0.4V左右，同时也有一些缺点:耐压低，漏电流大。多用作高频、低压、大电流的整流二极管(如开关电源的次级整流二极管)、续流二极管和保护二极管，也用作微波通信电路中的整流二极管和小信号检测二极管。
7、 肖特基二极管的作用是什么呢?肖特基二极管又称肖特基 势垒二极管(简称SBD)，是一种低功耗超高速半导体器件。最显著的特点是反向恢复时间很短(小到几纳秒)，正向导通压降只有0.4V V左右，多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管和保护二极管，也用作微波通信电路中的整流二极管和小信号检波二极管。常见于通信电源和变频器中。一个典型的应用是双极晶体管BJT的开关电路。
8、 肖特基二极管参数1，肖特基二极管性能参数如下:1 .VF正向电压Drop2，VFM最大正向电压Drop3，VBR反向击穿电压Breakdownvoltage4，VRMS可承受反向均方根电压RMSInputVoltage5，VRWM反向峰值工作电压WorkingPeakReverseVoltage6，VDC最大DC截止电压MaximumDCBlockingVoltage7，Trr ReverseRecoveryTime8，IF(AV)。正向电流9、IFSM的MaximumForwardSurgeCurrent10、IR反向电流11、TA的环境温度或自由空气的环境温度12、TJ工作结温工作结温13、TRMS存储温度StorageTemperatureRange14。
