肖特基势垒，什么是肖特基势垒

本文目录一览

1，什么是肖特基势垒
2，肖特基势垒的优点
3，肖特基势垒二级管具有哪些重要特点
4，肖特基势垒二极管和普通二极管有什么区别
5，肖特基二极管的作用

1，什么是肖特基势垒

金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域.金属-半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级.由半导体到金属,电子需要克服势垒;而由金属向半导体,电子受势垒阻挡.在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降;相反,在加反向偏置时,半导体一侧势垒增高.使得金属-半导体接触具有整流作用(但不是一切金属-半导体接触均如此.如果对于P型半导体,金属的功函数大于半导体的功函数,对于N型半导体,金属的功函数小于半导体的功函数,以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触,它会因杂质浓度高而发生隧道效应,以致势垒不起整流作用).当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致.

什么是肖特基势垒

2，肖特基势垒的优点

由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中，它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用, 其主要的功能是利用其较低的界面电压来保护电路上的其它器件。然而，自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体结，适合用于二极管。肖特基势垒与pn结最大的区别是其典型的低结电压，减小金属的(几乎不存在)耗尽区宽度。但并不是所有的有整流特性的金属-半导体结都是肖特基势垒. 金属-半导体结没有整流特性的叫做欧姆接触.。整流属性取决于金属的功函、固有半导体的带隙，以及类型和半导体的掺杂浓度。

肖特基势垒的优点

3，肖特基势垒二级管具有哪些重要特点

肖特基二极管SBD(肖特基势垒二级管)具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

就我所知，主要是正向结压降很低、反向漏流较大……

1、极短的恢复时间，使得更适用于高频电压的整流。2、正向压降非常小，整流损耗小、发热量小、效率高、允许正向通过大电流。3、反向耐压偏低，不适合高压整流。

肖特基势垒二级管具有哪些重要特点

4，肖特基势垒二极管和普通二极管有什么区别

　　肖特基势垒二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒）；正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流较大。其多用作高频、低压、大电流整流二极管（比如开关电源次极整流二极管），续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。http://baike.soso.com/v55469.htm?pid=baike.box二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。http://baike.baidu.com/view/1016.htm

5，肖特基二极管的作用

肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

肖特基（schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4v左右。肖特基（schottky）二极管的最大特点是正向压降 vf 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流较大。其多用作高频、低压、大电流整流二极管（比如开关电源次极整流二极管），续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。