按比例可分为轻掺杂、中掺杂、重掺杂。根据掺杂的位置不同，可将掺杂的类型分为缺口型掺杂和替代型掺杂，净空掺杂位移掺杂如何区分掺杂不同位置，同一晶圆上的杂质不均匀性优于1%，横向掺杂远小于扩散；什么是水晶掺杂？Substitution 掺杂，意思是在Tira 掺杂，总的来说，gap 掺杂的能量比较高，没有替代掺杂的稳定性。
本征半导体是C纯半导体。在本征半导体中加入微量杂质元素，可以提高半导体的导电性，参杂之后的半导体称为杂质半导体。根据杂质的不同，可以分为n型半导体和p型半导体。本征半导体是纯的。no-1参杂Semiconductor掺杂Semiconductor是指在本征半导体中掺杂少量其他元素(称为杂质)的半导体杂质可以显著改变半导体的导电性。参杂 PN段可以形成发挥功能作用。
在绝对零度的温度下，半导体的价带是满的(见能带理论)。价带中的一些电子被光电注入或热激发后，会以更高的能量穿越禁带/带隙。当带隙中有电子时，它将成为导带。当价带中少了一个电子，就会形成一个带正电荷的空位，这个空位叫做空穴(hole)。
在半导体中注入相应的杂质原子(如硅中的硼、磷或砷)可以改变其表面导电性或形成PN结。离子注入需要合适的离子注入设备。半导体掺杂离子注入机的能量范围为20 ~ 400千电子伏。硼离子注入硅的注入深度一般在1微米以下，束流强度为几十到几百微安。离子注入机有两种:先分析后加速和先加速后分析。在先前分析后加速的结构中，离子源和磁分析器(分析磁体)处于高电位，
离子源是离子注入机最重要的部件之一。三氟化硼、磷烷和砷烷通常用于微电子学。通常，离子源提供单电荷离子。磁分析器起到净化的作用，可以偏转不需要的离子，只让需要的离子通过，加速扫描后到达注射靶。为了减少束流传输损失，离子注入机通常使用单透镜和四极透镜来聚焦离子束。此外，离子注入机还需要清洁的真空条件(无油污，
3、半导体材料中,离子注入与离子 掺杂有什么区别?它叫离子注入掺杂通过一定的技术手段(如高压)将正离子或负离子驱入材料表面。优点:温度低，对整个材料影响小；缺点，设备贵。离子注入是一种离子参杂。随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断缩小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术充分发挥了它的优势。目前结深小于1μ m的平面工艺基本都是通过离子注入完成的掺杂。
离子注入具有以下特点:①可在较低温度(400℃)下进行，避免高温处理；②通过控制注入时的电条件(电流和电压)，可以精确控制浓度和结深，更好地控制杂质分布形状。杂质浓度不受材料固溶度的限制；③可选择一种元素注入，避免与其他杂质混合；④可以在大面积上形成薄而均匀的/层。同一晶圆上的杂质不均匀性优于1%，横向掺杂远小于扩散；
