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9013三极管,9013是什么型号的三极管

来源:整理 时间:2023-05-09 13:35:43 编辑:五合装修 手机版

1,9013是什么型号的三极管

NPN

9013是什么型号的三极管

2,9013三极管详细参数

9013 三极管 详细参数如下,集电极电流Ic:Max 500mA集电极-基极电压Vcbo:40V工作温度:-55℃ to +15[)0℃功率(W):0.625hFE:64~202扩展资料9013 是一种低电压、大电流,小信号的NPN型硅三极管。主要用在开关应用电路和射频放大电路上。其封装形式有TO-92插件封装、SOT-23贴片封装

9013三极管详细参数

3,9013三极管参数

9013 NPN 低频放大 40V-50V 0.5A 0.625W 150MHZ hFE:100~1000 (放大倍数分段可选) http://www.mdizi.com/dzyj/x11.htm

9013三极管参数

4,s9013三极管怎么用

s9013三极管是一种小功率晶体三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。扩展资料:当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。参考资料来源:百度百科--9013三极管

5,温度一定的情况下9013三极管值可变吗

温度一定,仅仅是环境温度一定。当三极管工作时,自身会发热。当9013三极管的工作电流比较大的情况下(例如IC长时间持续超过500mA),9013三极管β值会因为结温升高而增大。从而使IC进一步增加,发热更加严重-以致烧毁。

6,9013是什么类型的三极管

9013是NPN类型的三极管如图
NPN型硅三极管
9013是一种npn型硅小功率的三极管它是非常常见的晶体三极管,要求不严的话其它任何型号的npn型管子都可以替代。

7,9013三极管的相关信息

C9013 NPN三极管△主要用途:作为音频放大和收音机1W推挽输出(C9012互补)参数符号测试条件最小值典型值最大值单 位集电极漏电流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V发射极、基极击穿电压BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=500mA,IB=50mA 0.6 V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=500mA,IB=50mA 1.2 V基极、发射极压降VBE VCE=1V,IC=10mA 1.0 V直流电流增益HFE1 VCE=1V,IC=50mA 96 300HFE2 VCE=1V,IC=500mA 401.2参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO 30 V集电极、发射极击穿电压VCEO 25 V发射极、基极击穿电压VEBO 5 V集电极电流IC 500 mA集电极功率PC 625 mW结温TJ 150 ℃贮存温TSTG -55-150 ℃6发射△电参数(Ta=25℃)(按HEF1分类)标准分档: F:96-135 G:112-166 H:144-202 I:200-300TO-921. 发射极 E2. 基 极 B3. 集电极 CF G H1 H2 I1 I296-120 120-150 150-170 170-200 200-250 250-300C9014 NPN三极管△主要用途:作为低频、低噪声前置放大,应用于电话机、VCD、DVD、电动玩具等电子产品(与C9015互补)参数符号测试条件最小值典型值最大值单 位集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V发射极、基极击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=100mA,IB=10mA 0.25 V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA 1.0 V直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO 60 V集电极、发射极击穿电压VCEO 50 V发射极、基极击穿电压VEBO 5 V集电极电流IC 150 mA集电极功率PC 625 mW结温TJ 150 ℃贮存温TSTG -55-150 ℃6发射△电参数(Ta=25℃)(按HEF1分类)标准分档: B:100-300 C:200-600 D:400-1000TO-921. 发射极 E2. 基 极 B3. 集电极 CB C1 C2 D1 D2 D3120-200 200-300 300-400 400-500 500-600 600-700
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