二极管工作原理，发光二极管的工作原理是什么

本文目录一览

1，发光二极管的工作原理是什么
2，二极管的工作原理
3，稳压二极管的工作原理是什么
4，开关二极管的工作原理
5，二极管三极管的工作原理

1，发光二极管的工作原理是什么

发光二极管是单向导电，也就是有正负极的，接反了就不能正常工作了。它和普通灯泡是不一样的，灯泡是由灯丝把两个电极连接在一起的，灯丝就可以发光，发光二极管相反，不能连接在一起，它用的是电的感应。灯泡同时也不分正负的。

通过镇流器或电子镇流器把220伏电压提升至四百多伏击穿管内气体点亮荧光粉发光。之后由于镇流器线圈的限流、降压使电压下降至100伏左右维持光管发光。所以荧光灯比白炽灯泡省电

发光二极管的工作原理是什么

2，二极管的工作原理

二极管工作原理（正向导电，反向不导电）晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电常当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。（这也就是导电的原因）当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。（这也就是不导电的原因）晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电常当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

二极管的工作原理

3，稳压二极管的工作原理是什么

稳压二极管，英文名：Zener diode，又叫齐纳二极管，是一种用特殊工艺制造而成的面结型硅半导体二极管，它的外形、内部结构与普通二极管相似。稳压二极管伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。稳压二极管伏安特性稳压二极管

工作在反向击穿区，利用其陡峭的反向特性在电路中起稳压作用

我是学通信的稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管

要理解稳压二极管的工作原理，只要了解二极管的反向特性就行了。所有的晶体二极管,其基本特性是单向导通。就是说，正向加压导通，反向加压不通。这里有个条件就是反向加压不超过管子的反向耐压值。那么超过耐压值后是什么结果呢？一个简单的答案就是管子烧毁。但这不是全部答案。试验发现，只要限制反向电流值（例如，在管子与电源之间串联一个电阻），管子虽然被击穿却不会烧毁。而且还发现，管子反向击穿后，电流从大往小变，电压只有很微小的下降，一直降到某个电流值后电压才随电流的下降急剧下降。正是利用了这个特性人们才造出了稳压二极管。使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。

硅半导体的温度与电阻成反比（不是直线）电压增大二极管变热电流的增大趋势要比普通电阻大从而起到分流降压的作用

硅PN结在一定的反向电压下,可引起雪崩击穿.这时二极管上的电压基本不变,电流可以很大.稳压二极管就是利用PN结的这一反向特牲制成的.顺便指出,一些三极管,如3DG6,9013等,它们的发射结有很好的反向雪崩击穿性能,因而也可变通用作小功率的稳压二极管.

稳压二极管的工作原理是什么

4，开关二极管的工作原理

开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。常用的国产高速开关二极管有2CK系列。进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装）。低功耗开关二极管的功耗较低，但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二极管低。常用的低功耗开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）。高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。常用的高反压开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）。硅电压开关二极管是一种新型半导体器件e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333361303031，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。单向电压开关二极管也称转折二极管，邮PnPN四层结构的硅半导体材料组成，其正向为负阻开关特性（指当外加电压升高到正向转折电压值时，开关二极管由截止状态变为导通状态，即由高阻转为低阻），反向为稳定特性。双向电压二极管由NPnPN五层结构的硅半导体材料组成，其正向和反向均具有相同的负阻开关特性。

半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断），所以二极管可作开关用，常用型号为1N4148。由于半导体二极管具有zhidao单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。以上的描述，其实适用于任何一支普通的二极管，或者说是二极管本身的原理。但针对于开关二极管，最重要的特点是高频条件下的表现。高频条件下，二极管的势垒电容表专现出来极低的阻抗，并且与二极管并联。当这个势垒电容本身容值达到一定程度时，就会严重影响二极管的开关性能。极端条件下会把二极管短路，高频电流不再通过二极管，而是直接绕路势垒电容通过，二极管就失效了。而开关二极管的势垒电容一般极小，这就相当于堵住了势垒电容这条路，达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效属果。

用可控硅相关信息就可以达到您说的这个要求。很来简单的晶体管电路即可。简介：开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通自变为截止或由截止变为导通所需的时间比一知般二极管短。工作特性：开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的道使用参数上只给出反向恢复时间。

1n4148就是典型的小信号开关二极管这种二极管的管压降比较大，使得信号幅值大于管压降就能同过去

打个比方：一个小孩个矮，想出门却够不到门栓，无法将门打开，一个大人个高，可以够得到门栓，他把门打开后小孩就可以进出了。二极管就相当于上面的门，它有一定的开启电压(也叫导通电压、阈值电压，相当于门栓)，达不到这个开启电压的小信号无法通过它，控制二极管开启与否的开关信号就相当于上面的大人，它的电压比二极管的开启电压高，开关控制信号加到二极管上时，二极管就导通了，这时小信号就可以通过这个二极管。开关信号一般是一个直流电压信号，被控制的小信号一般是交流信号。

5，二极管三极管的工作原理

三极管的工作原理三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。仅供参考，请参考有关书籍。 http://www.aihuau.com/mdl/md1/md1.31.htm自己看吧！参考资料：http://www.aihuau.com/mdl/md1/md1.31.htm二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

1、二极管工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。2、三极管工作原理：三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E.分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理.一、电流放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管.如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic.这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向.三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话）,并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1,例如几十,几百）.如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化.如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化.我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了.二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路.这有几个原因.首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管）,基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管,常取0.7V）.当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0.但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因为小于0.7V时,基极电流都是0）.如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流（叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻）,那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出.另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的信号放大,而对减小的信号无效（因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了）.而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小；当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大.这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了.三、开关作用下面说说三极管的饱和情况.像上面那样的图,因为受到电阻 Rc的限制（Rc是固定值,那么最大电流为U/Rc,其中U为电源电压）,集电极电流是不能无限增加下去的.当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大时,三极管就进入了饱和状态.一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic.进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小,可以理解为一个开关闭合了.这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时,三极管集电极电流为0（这叫做三极管截止）,相当于开关断开；当基极电流很大,以至于三极管饱和时,相当于开关闭合.如果三极管主要工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管.四、工作状态如果我们在上面这个图中,将电阻Rc换成一个灯泡,那么当基极电流为0时,集电极电流为0,灯泡灭.如果基极电流比较大时（大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数 β）,三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了.由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了,所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断.如果基极电流从0慢慢增加,那么灯泡的亮度也会随着增加（在三极管未饱和之前）.

简单地说：二极管种类较多，普通二极管具有单向导电性，所以常用于整流电路等；三极管主要是起放大作用，具体原理可在网上搜索，图文并茂，易于理解。

顶一楼的，说的专业而业简明。

这个比较复杂，是基于不同区域掺杂不同杂质浓度不同制作的，具体要去看《半导体物理学》