半导体Material特性Parameter半导体虽然材料有很多种，但也有一些固有的特性called半导体Material-。半导体有一些特殊的属性，本征半导体: 半导体不含杂质，不含晶格缺陷的称为本征半导体，半导体的性质是什么？半导体指的是一种电导率可以控制的材料，范围从绝缘体到导体，金属和半导体具有不同的电阻-温度特性。
1、用multisim分析 半导体二极管的伏安 特性观察其现象并说明原因如图:在multisim中，可以使用交流电源，可以用二极管对交流电源进行半波整流，还可以加上负载。将二极管与负载的公共点设为地，将负载上的电压信号(与二极管中的电流成正比，负载电阻可作为电流采样电阻)接入A通道。将二极管上的电压信号连接到B通道。切换到A/B模式，可以观察到二极管的伏安特性曲线。解析:曲线的OAB段为正向特性曲线，OA段的电压称为死区电压。在这个 范围内，电流随电压变化不大，属于高阻区，二极管还没有完全导通酒。AB段是二极管导通后的变化，一开始电流随着电压变化以较快的速度增加，但是到了B点后，虽然电压变化很小，但是电流变化非常快，而且是反向的。
2、金属和 半导体具有不同的电阻-温度 特性,它们的主要特征是什么?首先我们要搞清楚为什么会有阻力。一个原因是晶格振动(晶体总是有温度的)使晶格偏离规则排列(BRAVIAS晶格排列)，使电子的布洛赫波散射，形成电阻；另一个原因是金属晶体不纯，含有杂质，也破坏了BRAVIAS晶格排列，散射布洛赫波。温度越高，晶格振动越剧烈，偏离晶格越大，因此布洛赫波的散射越剧烈。这样一来，
随着温度的升高，金属没有禁带，所有未配对电子都是自由电子，即载流子浓度不变。温度升高，自由电子热运动速度加快，被晶格散射的几率增大，因此电阻增大；2.半导体可分为本征半导体和杂质半导体。对于本征半导体，随着温度的升高，电子浓度和空穴浓度的增加大于晶格散射的减少，因此电阻减小；但随着温度的升高，杂质半导体开始主要是电离，电阻减小；
3、 半导体指的是什么意思半导体(半导体)是指室温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体广泛应用于广播、电视、温度测量。例如，二极管是由半导体制成的器件。半导体指的是一种电导率可以控制的材料，范围从绝缘体到导体。半导体无论从科技还是经济发展的角度来看，重要性都是非常大的。
4、 半导体是什么意思锗、硅、硒、砷化镓以及许多金属氧化物和金属硫化物，其导电性介于导体和绝缘体之间，称为半导体。半导体有一些特殊的属性。例如半导体的电阻率与温度的关系可以用来制作自动控制用的热敏电阻；利用其光敏性特性，可制成光敏元件用于自动控制，如光电池、光电池、光敏电阻等。半导体还有一个最重要的属性。如果在纯的半导体材料中适当掺入微量杂质，其电导率将增加数百万倍。
如果一块半导体的一面做成P型区，另一面做成N型区，在结附近会形成一层具有特殊性质的薄层，一般称为PN结。图的上半部分分为P型半导体和N型半导体，用黑色箭头表示。中间部分是PN结的形成过程，表示载流子的扩散效应大于漂移效应(蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场方向)。下部是PN结的形成。
5、简并 半导体的重要特点是什么半导体以锗硅合金为例。1.性能:高频好特性，材料安全性好，导热性好，工艺成熟，集成度高，成本低。2.功能:不仅可以直接利用半导体现有的200mm晶圆工艺实现高集成度，从而创造经济规模，而且可以媲美GaAs 特性的高速。随着最近IDM厂商的投入，SiGe技术在低截止频率(fT)和击穿电压等问题上逐渐得到改善，变得越来越实用。
SiGe 半导体 technology可用于集成高质量无源元件，只要添加金属和电介质叠层以降低寄生电容和电感。扩展信息:导电率半导体-1/简介:导体具有良好的导电性特性。在室温下，其中有大量的自由电子，在外电场的作用下做定向运动，形成大电流。所以导体的电阻率很小，一般只有金属才是导体，比如铜、铝、银。绝缘体几乎不导电，如橡胶、陶瓷、塑料等。
6、 半导体材料的 特性参数半导体虽然材质的种类很多，但是有一些固有的特性参数叫做半导体 materials。这些特性参数不仅可以反映出半导体材料与其他非半导体材料的区别，更重要的是反映出各种半导体材料甚至同一材料在不同情况下-。半导体material特性常用的参数有:带隙宽度、电阻率、载流子迁移率(电子和空穴在半导体)非平衡载流子寿命和位错密度。
电阻率和载流子迁移率反映了材料的导电性。非平衡载流子的寿命反映了半导体材料内部载流子在外界作用(如光或电场)下由非平衡态转移到平衡态时的弛豫情况特性，位错是晶体中最常见的晶体缺陷。位错密度可用于测量单晶材料的晶格完整性程度，当然，对于非晶半导体，并没有这个反映晶格完整性的参数特性。
