金属电阻率，金属的电阻率计算公式 01 t中的0 是什么

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1，金属的电阻率计算公式 01 t中的0 是什么
2，常见金属如铜铁铝的电阻率是多少啊
3，金属电阻率与半导体电阻率的本质差别
4，金属丝电阻率的表达式
5，半导体与金属材料的电阻率与温度的关系有何区别为什么
6，请问一下电阻率的问题常用导体在温度20c如铜为20c电阻率为169

1，金属的电阻率计算公式 01 t中的0 是什么

看来t是温度, ρ0是t=0时的电阻率; α是电阻率的温度系数, 即温度变化1度时，所引起的电阻率的变化.

这个公式是用在温度变化对电阻率的影响的，ρ0是温度零度的电阻率，α为电阻温度系数。再看看别人怎么说的。

金属的电阻率计算公式 01 t中的0 是什么

2，常见金属如铜铁铝的电阻率是多少啊

常用金属导体在20℃时的电阻率(1)银 1.65 × 10-8 (2)铜 1.75 × 10-8 (3)铝 2.83 × 10-8 (4)钨 5.48 × 10-8 (5)铁 9.78 × 10-8 (6)铂 2.22 × 10-7 (7)锰铜 4.4 × 10-7 (8)汞 9.6 × 10-7 (9)康铜 5.0 × 10-7 (10)镍铬合金 1.0 × 10-6 (11)铁铬铝合金1.4 × 10-6 (12) 铝镍铁合金1.6 × 10-6

常见金属如铜铁铝的电阻率是多少啊

3，金属电阻率与半导体电阻率的本质差别

金属是由金属原子组成的晶格和自由电子组成的，实际参与导电的是自由电子。晶格是一直振动的，和分子的热运动相关。金属之所以有电阻是由于晶格对自由电子的定向移动的阻碍。而且由于温度越高，晶格震动越强烈，所以它的阻碍效应就越明显，这是金属电阻随温度升高而变大的原因。对于半导体，它不像金属那样有很多自由电子，它的电子基本都被束缚在原子核上。所以它需要一定的温度或者光来激发，是它的电子获得足够的能量，摆脱原子核的束缚，从而成为能够参与导电的粒子。所以温度升高，能够参与导电的粒子就越多，电阻就越小。

金属的导电性符合欧姆定律，是线性元件．半导体是非线性元件．他们的伏安特性曲线不一样，主要还是欧姆定律．．．．

这本书上有的...主要区别就如楼上所说,由温度和电阻率的曲线关系上说明的.如果抛开温度问题不说,那就是金属的导电是由自由电子的运动产生的.半导体的导电是电子和空穴共同运动的结果.(电子离开原位,在原位产生一个等电量的正电荷空穴)

金属电阻率与半导体电阻率的本质差别

4，金属丝电阻率的表达式

（1）金属丝电阻R=ρ L S =ρ L π 4 d 2 ，则金属丝电阻率为：ρ= πR d 2 4L ．（2）由图甲所示螺旋测微器可知，固定刻度示数为0.5mm，可动刻度所示为40.0×0.01mm=0.400mm，螺旋测微器的示数为0.5mm+0.400mm=0.900mm．由图乙所示多用电表可知，金属丝电阻阻值为：R=7×1Ω=7Ω．（3）①电源的电动势为3V，则电压表量程选择0～3V，由于所测电阻约为5Ω，则最大电流为0.6A，所以电流表的量程选择0～0.6A，因所测电阻约为5Ω，所以滑动变阻器的阻值选择0～20Ω，故选：ACDFH； ②因R x 2 ＜R V R A ，则所测电阻偏小，则电流表外接法．因电流表的测量值比真实值大，所以导致待测金属丝电阻的测量值比真实值偏小； ③电流表的量程为0.6A，则其读数为0.46A；电压表的量程3V，则其读数为2.30V．答案：（1） πR d 2 4L ；（2）0.900，7 （3）①ACDFH；②外，小；③0.46；2.30．

r=p*l/s 这个公式说的是在相同的条件下，导体的电阻与长度、横截面积,电阻率的关系，主要是用来求电阻的电阻率是属性只随温度变化

5，半导体与金属材料的电阻率与温度的关系有何区别为什么

主要区别是金属的电阻率随温度升高而增大。而半导体的电阻率在低温、室温和高温情况下，变化情况各不相同。一、金属电阻率与温度的关系：金属材料在温度不高，温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率;α是电阻率的温度系数，与材料有关。锰铜的α约为1×10-1/℃(其数值极小)，用其制成的电阻器的电阻值在常温范围下随温度变化极小，适合于作标准电阻。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。二、半导体电阻率与温度的关系：决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下：由于载流子浓度指数式增大（施主或受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时电阻率随着温度的升高而下降。在室温下：由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（晶格振动加剧，导致声子散射增强所致），所以电阻率将随着温度的升高而增大。在高温下：这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。

6，请问一下电阻率的问题常用导体在温度20c如铜为20c电阻率为169

常用金属导体在20℃时的电阻率材料电阻率(Ω m) (1)银 1.65 × 10-8 (2)铜 1.75 × 10-8 (3)铝 2.83 × 10-8 (4)钨 5.48 × 10-8 (5)铁 9.78 × 10-8 (6)铂 2.22 × 10-7 (7)锰铜 4.4 × 10-7 (8)汞 9.6 × 10-7 (9)康铜 5.0 × 10-7 (10)镍铬合金 1.0 × 10-6 (11)铁铬铝合金1.4 × 10-6 (12) 铝镍铁合金1.6 × 10-6 (13)石墨(8～13)×10-6 计算公式电阻率的计算公式为：ρ=RS/L ρ为电阻率——常用单位Ω·m S为横截面积——常用单位㎡ R为电阻值——常用单位Ω L为导线的长度——常用单位m 电阻率的另一计算公式为：ρ=E/J ρ为电阻率——常用单位Ω·m E为电场强度——常用单位N/C J为电流密度——常用单位A/㎡（E，J 可以为矢量） 1.电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内，：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρo(1+at)。式中t是摄氏温度，ρo是O℃时的电阻率，a是电阻率温度系数。 2.由于电阻率随温度改变而改变，所以对于某些电器的电阻，必须说明它们所处的物理状态。如一个220 V -1OO W电灯灯丝的电阻，通电时是484欧姆，未通电时只有40欧姆左右。

材料的电阻率ρ随温度变化的规律为ρ＝ρ0(1+at),其中α称为电阻温度系数，ρ0是材料在t-0 ℃时的电阻率的温度范围内α是无关的常量。 ρ=ρo(1+at)将20度的数据代入，1.7*10^-8,=ρo（1+4.1*10^-3*20）得ρo=1.571*10^-8； ρ求=1.571*10^-8（1+4.1*10^-3*50）=1.89*10^-8