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反向饱和电流,半导体二极管的反向饱和电流是什么呀温度的电压当量又是什么

来源:整理 时间:2023-05-24 04:14:58 编辑:五合装修 手机版

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1,半导体二极管的反向饱和电流是什么呀温度的电压当量又是什么

反向饱和电流:在二极管两端加上反向电压、反向电压在某一个范围内变化,而此时反向电流恒定。
你说呢...

半导体二极管的反向饱和电流是什么呀温度的电压当量又是什么

2,pn结反向饱和电流到底是怎么形成的它的大小跟哪些

跟Vd有关是因为随着反向电压的增大,势垒抬高,耗尽层变宽,所以被反向抽走的电子和空穴就会增加,所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定。但是对于硅pn结,反向饱和电流一般在10e-14A~10e-10A,一般都很小,即使有所增大也不会达到质的变化。所以可称为饱和,饱和的含义就是再怎么增大电压,电流增大的不多的意思。

pn结反向饱和电流到底是怎么形成的它的大小跟哪些

3,什么是反向饱和电流密度

图4 I-V曲线中A,B,C和D四部分对应的反向饱和电流密度(a)和平均理想因子(b)随温度的变化(a)中插图给出了正负偏压下两个电压扫描方向时反向饱和电流的差别

什么是反向饱和电流密度

4,二极管的反向电流是什么意思

二极管的反向电流:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。扩展资料:晶体管的反向电流包括:ICBO和ICEO。1、ICBO:ICBO也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。2、ICEO:ICEO是指当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。参考资料来源:百度百科——二极管

5,什么是反向饱和电流

比如说二极管中:如果给它加反向电压,反向电压在某一个范围内变化,反向电流(即此时通过二极管的电流)基本不变,好象通过二极管的电流饱和了一样,这个电流就叫反向饱和电流.其他器件中也有类似的情况.

6,集电极反向饱和电流是什么

三极管发射极开路,集电结反向偏置(Uc>Ub),这时,流过集电结的电流是少子的反向电流,称为反向饱和电流。实质上,就是PN结的反向饱和电流。
因为集电极电阻rc是“电源ucc--rc--集电极--发射极--地线”这一个回路中的限制电流的元件,三极管饱和的时候意思就是说集电极电流ics已经达到最大了,不能更大了,这个最大的数字等于ucc/rc,由于rc的限制作用,在这个回路里面符合欧姆定律了,三极管相当于短路了。

7,模电三个反向饱和电流的关系

反向饱和电流通常用来描述发射极开路时,集电极与基极之间的反向漏电流,即Icbo,实际上就是集电结的反向漏电流。穿透电流是基极开路,集电极与发射极之间的反向漏电流,即Iceo,也称集电极-发射极反向饱和电流。该电流由集电区穿过基区到达发射区,因此也称穿透电流。由于发射结此时处于正向状态,而晶体管的电流放大系数为β,所以集电极-发射极反向饱和电流并不是单纯的集电结反向饱和电流,而是Iceo=(1+β)×Icbo。
Icbo:发射极开路,集电极和基极正向额定电流! Iceo:基极开路,集电极和发射极正向额定电流!反向电流是指晶体管在截止状态下反方向漏电电流!
若施加在n区的电压高于p区的电压,将形成极其微弱的漂移电流,并且这个电流不随反向电压的增大而变化。这种状态称为pn结“反向偏置”,且产生的极其微弱、不随外加电压改变的电流称为“反向饱和电流”。由于反向饱和电流很小,pn结处于截止状态,所以外加反向电压时,pn结相当于断路。电流由n区流向p区,称为反向电流。当加在pn结上的反向电压超过一定数值时,pn结的电阻突然减小,反向电流急剧增大,这种现象称为击穿。电击穿击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿且都是可逆的。发生热击穿后,pn结不再具有单向导电性,导致二极管发生不可恢复的损坏。利用齐纳击穿制作的稳压二极管,称为齐纳二极管。
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