光敏三极管，比较光敏电阻光电池光敏二极管和光敏三极管的性能差异

来源：整理时间：2024-01-06 21:47:43 编辑：五合装修手机版

1，比较光敏电阻光电池光敏二极管和光敏三极管的性能差异

光敏电阻：电阻值根据光照强度发生变化；光电池：根据光照强度可以输出电压和电流；光敏二极管：二极管反向电流根据光照强度发生变化；光敏三极管：相当于一个光敏二极管和普通三极管组合，其电流变化的放大倍数为三极管的放大倍数。

这些东西建议自己去看一下物理书籍。或许你会懂得更多，他们之间的区别到底在哪里？

主要的区别是:光敏电阻随着光线的强弱,电阻值变化;光电池是随着光线的强弱,产生的电动势发生变化;光敏三极管是利用外照光线的变化,来实现控制电路的通或断;二极管就是正向导电,反向不导电.

比较光敏电阻光电池光敏二极管和光敏三极管的性能差异

2，光敏三极管的特性

光敏三极管（Phototransistor）和普通三极管相似，也有电流（Current）放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿（Temperature compensation）和附加控制等作用。

光敏三极管我就没有做过，光敏二极管和电阻就做过。具体是利用光敏二极管（或光敏电阻）串上一个电阻，然后再引一个信号给后面的放大电路进行放大。这里我就先说说光信号转换成电信号的过程，很简单，利用串联电阻的阻值大小，调节触发光强度的大小，具体要串联多大电阻，我也忘记了，你自己试验一下看看了。

光敏三极管的特性

3，光敏三极管工作原理是什么什么信号变什么信号具体能对着一个

光信号变电信号。光敏三极管（Phototransistor）和普通三极管相似，也有电流（Current）放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿（Temperature compensation）和附加控制等作用。　当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。

三极管通态电流与基极电流正相关，光敏三极管通态电流与光照强度正相关。光信号变电信号。有光时对外呈现低阻抗，无光时高阻抗，分压不同从而产生变化的电信号。

用表可测量，红黑笔分别测两脚，在光线较强情况下测，电阻最小即导通那次红笔代表c极，黑笔代表e极。

光敏三极管工作原理是什么什么信号变什么信号具体能对着一个

4，光敏三极集电极和发射极有什么区别

光敏管的结构和工作原理作者：dolphin时间：2012-10-31浏览次数:2636空载功耗高？轻载效率低？问题描述：电源模块长期空载/轻载工作，一般需外接假负载；且模块容易产生温升过高问题。答：R3系列产品采用变频技术，无最小负载要求……光敏三极管与光敏二极竹的结构相似，内部有两个PN结。和一般三极管不同的是它发射极一边做得很小，以扩大光照面积。当基极开路时，基极-集电极处于反偏.当光照射到PN结附近时，使PN结附近产生电子一空穴对，它们在内电场作用下，定向运动形成增大了的反向电流即光电流，由于光照射集电结产生的光电流相当于一般三极竹的基极电流，因此集电极电流被放大了(f3+1)倍，从而使光敏三极管具有比光敏二极管更高的灵敏度。锗光敏三极竹山于其暗电流较大，为使光电流与暗电流之比增大，常在发射极一基极之间接一电阻(5 kn左右)。对应硅平面光敏三极管，由于暗电流很小(小于10-9A)。一般不备有基极外接引线，仅有发射极、集电极两根引线。光敏三极管原理，电路和符号见图.

5，光敏二极管与光敏三极管特性的异同

原发布者:kakawu光敏二极管和光敏三极管简介及应用光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。一、光敏二极管1．结构特点与符号光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。光敏二极管在电路中的符号如图Z0129所示。光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。2．光电转换原理根据PN结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电流很小且处于饱和状态。此时，如果无光照射PN结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。不同波长的光（兰光、红光、红外光）在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光，在这一区域，因光照产生的光生载流子（电子），一旦漂移到耗尽层界面，就会在结电场作用下，被拉向N区，形成部分光电流；彼长较长的红光，将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对，这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下，分别到达N区和P区，形成光电流。波长更长的红外光，将透过P型层和耗尽层，直接被N区吸收。在N区内因光照产生的光生载流子（空穴）一旦漂移到耗尽区界面

最主要的区别就是：在相同的光照下，光敏三极管的电流，比光敏二极管的电流大???? ?筅号灚???獋唤??膶?? 三极管有两个pn结，光敏三极管的发射结，就是一个光敏二极管。

1、光敏三极管可以认为是光敏二极管与三极管的一体化结构，其特性是光敏二极管的输出特性再加上三极管的特性。2、光敏二极管不外加电源，可以作为电压源或电流源使用（就是光电池）。3、光敏三极管必须外加电源工作，这样可以输出比光敏二极管大得多的电流，因为经过三极管放大了。

6，光敏三极管的主要技术特性及参数有哪些

以下内容来自百度百科，讲的已经很详细了，如果还有不明白的，可以追问：1、光谱特性光敏三极管由于使用的材料不同，分为锗光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。2、伏安特性光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。3、光电特性光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流IL与光照度之间的关系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。4、温度特性温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。5、暗电流ID在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。6、光电流IL在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。7、集电极一发射极击穿电压VCE在无光照下，集电极电流IC为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。8、最高工作电压VRM在无光照下，集电极电流Ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。9、最大功率PM最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。10、峰值波长λp当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。11、光电灵敏度在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。12、响应时间响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 X 10-3 --- 1 X 10-7S 。

1、光谱特性光敏三极管由于使用的材料不同，分为错光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。2、伏安特性光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。3、光电特性光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流il与光照度之间的关系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。4、温度特性温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。5、暗电流id在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。6、光电流il在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。7、集电极一发射极击穿电压vce在无光照下，集电极电流ic为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。8、最高工作电压vrm在无光照下，集电极电流ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。9、最大功率pm最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。10、峰值波长λp当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。11、光电灵敏度在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。12、响应时间响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 x 10-3 --- 1 x 10-7s 。13、开关时间1.脉冲上升时间tτ:光敏三极管在规定工作条件下调节输入的脉冲光，使光敏三极管输出相应的脉冲电流至规定值，以输出脉冲前沿幅度的10% - 90% 所需的时间。2.脉冲下降时间tt :以输出脉冲后沿幅度的90% - 10% 所需的时间。3.脉冲延迟时间td :从输入光脉冲开始到输出电脉冲前沿的10% 所需的时间。4.脉冲储存时间ts:当输入光脉冲结束后，输出电脉冲下降到脉冲幅度的90% 所需的时间。