光刻胶，光刻胶怎么涂

本文目录一览

1，光刻胶怎么涂
2，光刻胶是什么
3，光刻胶是什么东西
4，光刻胶是什么材料
5，光刻胶就是ito导电膜吗那么沐里沐又是什么起什么作用呢
6，x射线光刻的光刻胶是甚么
7，光刻胶光刻胶的概念是什么

1，光刻胶怎么涂

像摊煎饼一样把光刻胶滴到硅片表面的中心，然后使硅片旋转，利用离心力把多余的光刻胶甩出去，让硅片上只剩下需要厚度的光刻胶

通过改变承载台旋转速度控制旋涂厚度

光刻胶怎么涂

2，光刻胶是什么

　　光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，受到光照后特性会发生改变，是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，主要应用于电子工业和印刷工业领域。光刻胶有正胶和负胶之分：正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过曝光后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显影后，留下光照部分形成图形。

光刻胶是什么

3，光刻胶是什么东西

光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

光刻胶是什么东西

4，光刻胶是什么材料

　　光刻胶材料是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。　　光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。

5，光刻胶就是ito导电膜吗那么沐里沐又是什么起什么作用呢

光刻胶是光刻胶，ITO是ITO，两回事。光刻胶（Photo resist，PR）是应用在光刻工艺中的，具备感光性，ITO（氧化铟锡）是电极材料，一般是在镀膜工艺中沉积上去的。沐里沐是钼铝钼，是金属电极的膜层材料。在TFT制造中，钼铝钼只是栅极源极最常见的材料而已，而栅极和源极是必要的。作为膜层材料，镀膜肯定是一整层的，不过经过光刻和刻蚀工艺后，最终剩下的就是我们想要的图案了。

光刻胶是光刻胶，ITO是ITO，两回事。光刻胶（Photo resist，PR）是应用在光刻工艺中的，具备感光性，ITO（氧化铟锡）是电极材料，一般是在镀膜工艺中沉积上去的。沐里沐是啥没听说过，我估计你说的是钼铝钼吧？。。。。。。是金属电极的膜层材料~再看看别人怎么说的。

6，x射线光刻的光刻胶是甚么

光刻胶英文是PhotoResist，又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂3种主要成份组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在暴光区能很快地产生光固化反应，使得这类材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等产生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部份，得到所需图象（见图）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造和印刷制版等进程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后构成不可溶物资的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物资的即为正性胶。利用这类性能，将光刻胶作涂层，就可以在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为3种类型。①光聚合型，采取烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进1步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有构成正像的特点。②光分解型，采取含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会产生光分解反应,由油溶性变成水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采取聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其份子中的双键被打开，并使链与链之间产生交联，构成1种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是1种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限制分辨率（见感光材料）的提高。为进1步提高分辨率以满足超大范围集成电路工艺的要求，必须采取波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X射线和深紫外(＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1μm以下。

7，光刻胶光刻胶的概念是什么

光刻胶 photoresist 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限制分辨率（见感光材料）的提高。为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外 (＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1□m以下。 http://www.adsonbbs.com/baike_detail.asp?id=68 光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子最外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物，基态与激励态的能量差为3~6eV，相当于该能量差的光(即波长为0.2~0.4μm的光)被有机物强烈吸收，使在化学键合中起作用的电子转入激励态。化学键合在受到这种激励时，或者分离或者改变键合对象，发生化学变化。电子束、X射线及离子束(即被加速的粒子)注入物质后，因与物质具有的电子相互作用，能量逐渐消失。电子束失去的能量转移到物质的电子中，因此生成激励状态的电子或二次电子或离子。这些电子或离子均可诱发光刻胶的化学反应。