太阳能硅片，太阳能硅片

本文目录一览

1，太阳能硅片
2，太阳能硅片是真名回事
3，太阳能硅片有毒吗
4，硅片和太阳能硅片的差异
5，什么叫太阳能级硅片

1，太阳能硅片

好象没有，有一个硅料厂，洛阳中硅

没有

太阳能硅片

2，太阳能硅片是真名回事

是的，是由硅片来制成电池片，中间需经过一系列复杂的处理工艺，譬如扩散、制绒、蚀刻、镀膜、检测、印刷电极等形状基本上无差别，但外观应该有些不同，变成电池，应该更精美点了。

太阳能硅片是真名回事

3，太阳能硅片有毒吗

我在光伏企业做过,尽管是做设备技术,不直接参加生产!后来就是因为知道硅的辐射对身体有害,就产生离开的念头!如果是直接参加生产,有害物质就很多了!因为很多化学物质都具有剧毒! 至于硅本身的危害就不确定了，因为辐射导致的变异是不定向的!总之可能变成蝙蝠侠,也可能直接致癌!

如果人还年轻还是换工作吧

嗯、我就是在太阳能电子片制作厂工作的、也就是焊接硅片、我想、应该没多大毒素、要不然、我那些老员工就跑掉了、我也干了一年了、身体并没有什么不适、但是、孕妇，体弱者，最好少接触。

硅本身是没有毒的，但是生产硅片的一些药品是又剧毒的！比如：氢氟酸剧毒，一不小心又生命危险丙酮.....Tio2.....好多的

有害，产生的辐射容易使人致癌，甚至对后代产生影响。

太阳能硅片有毒吗

4，硅片和太阳能硅片的差异

硅片，没有功能。太阳能硅片，接收光线后能产生电压电流。

制造太阳能电池的硅片和其制造方法及装置，该硅片是由低纯度硅底板和高纯度硅层构成，高纯度硅层是用熔融状态的高纯度硅的硅原子在低纯度硅底板上结晶凝固而成，可以大大提高硅片的高纯度硅的利用率。并提供了六种硅片的制造方法及装置，分别是甩脱式硅片制造方法及装置，倾斜式硅片制造方法及装置，连续式硅片制造方法及装置，模铸式硅片制造方法及装置，竖立式硅片制造方法及装置和滚涂式硅片制造方法和装置。超薄太阳能级硅片本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角为四个相同的45°倒角，上、下两平面的距离为165μm-195μm范围，翘曲度小于75μm，表面光洁、平整、无瑕疵。超薄太阳能级硅片切割工艺是采用硅晶棒开方机将硅晶圆棒直接切割成截面为方形、四角为相同45°倒角的八角方型柱体，切削余料为块状，可回炉再利用。还采用优化切割工艺在多线切割机上切割成超薄太阳能级硅片，保证超薄太阳能级硅片的制造质量，提高生产效率，降低了超薄太阳能级硅片的制造成本。在太阳能电池片生产的硅片处理过程中，硅片可能会从载片篮中浮起。本实用新型包括对称设置的两片放置板，放置板上平行设置有多个放置槽，两片放置板的一边通过连接片连接、另一边通过连接条连接，形成方筐结构。每个放置板的两个侧边开有限位条安装口，限位条架设在两片放置板上。所述的限位条为工字形，其四个角与对应的放置板的安装口活动连接。本实用新型结构简单，限位条的设置有效避免了硅片从载片篮中浮起的发生。太阳能电池硅片的传输装置，它包括两个相同规格的支撑架，每一个支撑架都包括第一梯级和第二梯级，第一梯级位于第二梯级的外侧，第一梯级的高度比第二梯级的高度高。该太阳能电池硅片的传输装置的优点在于当硅片大小和形状改变的情况下，不需要更换运输装置的任何部分，这样可以省去了更换后的校准等工作。

5，什么叫太阳能级硅片

是晶片中轻量级的太阳能级硅片单晶太阳能硅片质量标准 1 材料物理法高纯硅及原生多晶硅 2 生长方法使用柴氏法生长钒酸钇和掺钕钒酸钇,可得到可到大面积单晶片直径30 mm至 35 mm,长40 mm晶体,：硅片 , 单晶硅片 , 硅棒 .生长方法柴氏法CZ 柴氏法CZ 型号掺杂 P/N型掺硼/磷 P/N型掺硼/磷晶向偏差 <100>±2° <100>±2° 氧含量 ≤1.0×1018 atoms/cm3 ≤1.0×1018 atoms/cm3 碳含量 ≤5.0×1016 atoms/cm3 ≤5.0×1016 atoms/cm3 http://www.wecan21.net/product_silicon_002.htmlhttp://amuseum.cdstm.cn/AMuseum/crystal/44.htmlhttp://www.cnpatent.com/zl/C30B/1994/94120719.htmlhttp://jaje.b17.23dns.net/jj/tyndczj.html

将光能转化为电能简单的说吧。就是由于光子的能量照射到硅和锗构成的半导体pn结中的电子孔穴位置，而电子就会产生迁跃，从而在两端的半导体硅中产生电压，如果该电压形成回路，则产生电流。duojinggul to一yongnengd一oneh- 多晶硅太阳能电池(polyerystaline一silicon solar cen)用多晶硅材料制成的pn结太阳能电池。多晶硅是由许多细小的单晶顺粒非定向排列而成，所以它的许多基本特性都和单晶硅相同。主要区别是多晶硅中的单晶颗粒之间存在着晶界，而晶界往往有许多非晶态硅原子和杂质原子。紧邻晶界的晶粒中，位错、缺陷、应力、应变也较多，使得多晶硅中由人射光激发而产生的光生载流子的寿命比较短，因而多晶硅太阳能电池中的复合电流大，开路电压、短路电流、填充因子及效率均没有单晶硅电池高。而一般的光电特 ~10种硅带技术在研究，其中有四种比较成熟，即:① 定边喂膜法(efg);②跳状枝晶法(db);③硅筒法 (sb);④电喷法。这四种方法获得的带硅厚约200料m. 沿带硅生长方向看，晶较取向比较一致，而沿带宽方向看，晶向比较复杂，所以常称这种有纤维状晶体结构的带硅为半晶硅。用半晶硅片制成的太阳能电池，平均效率已突破10%，有的已达15%。其中:①定边喂膜法，是用刻有狭缝的石墨模具浸人硅熔液，靠毛细现象，硅液沿狭缝上升，用籽晶硅片把硅液沿狭缝冷凝后向上拉伸，即得到等宽等厚的带硅;②跳状枝晶法，是用两根细籽晶平行伸入硅熔液，靠表面张力，硅液在籽晶之间形成一个蹼状弯月面状的硅膜，把籽晶向上提伸.这种蹼状硅膜同时伸长，形成蹼状带硅;③硅筒法，是用宽约125 mm、厚约0.2 mm的9片籽晶，围成8边形，伸人硅熔液，然后向上提拉，即可得到一个8边形的硅筒，用激光分割后，即可得到厚度均匀、质量较好的硅片。由于硅筒生长速度快、切片损耗低，用硅筒基片制成的太阳能电池的效率已达12%~14.5%，因而已具备产业化的条件;④电喷法，是由多晶硅粉末电喷到耐高温衬底上，形成宽60cm、长数米、可以绕曲的多晶硅带。用这种电喷多晶硅带材料制成的光伏组件，典型的参数为:输出功率尸。、匕90wp，短路电流i、一5.8 a，开路电压voc二21.gv，几何尺寸(lxwxh)- 1633 mm派660 mmx35mm。 (5)太阳级硅:一般认为它是一种能够制造出效率大于10%的太阳能电池用的廉价硅.虽然已经花费了巨额经费摸索了多种杂质元素对太阳能电池的影响，但是至今尚无关于太阳级硅的精确定义。目前正在设法从沸腾床反应炉和从冶金硅直接纯化法制备太阳级硅。用锌催化从沸腾床反应炉产出的高纯颗粒状多晶硅，已可用作硅太阳能电池的原料。性和制作工艺与单晶硅太阳能电池相同. 因为拉制单晶硅需要消耗大量能源以及昂贵的高纯石英增祸，人们从20世纪60年代起探索以多晶硅作为制造太阳能电池的材料。其中主要有: (l)薄膜多晶硅:在廉价的衬底(如冶金硅、石墨、陶瓷以至于金属)上，用化学汽相沉积(vcd)法、等离子增强的化学汽相沉积(pcdv)法和金属有机物化学汽相沉积(m〔x二vd)法，生长一层20~50拌m的多晶薄层，由此做成的多晶硅太阳能电池效率已大于 10肠。 (2)铸锭多晶硅:用石墨增涡把熔融硅定向冷却，以获得晶界纵向排列、晶粒粗大的多晶硅锭，用多线切俐机或内圆切割机切成。.2~0.4讯m厚的大面积多晶硅片。以此制成的多晶硅太阳能电池，效率已达 17%~18写.与拉制单晶硅相比，这种铸锭硅生产周期短、产t大(单个铸锭已达240 kg)、价格低。在德国，这种太阳能电池已经开始取代单晶硅成为第二代实用 ┌—┬—┬—┬——┬—┐ │ │ │ │ │ │ │ │ ├—┼——┼—┤ │ │ │! │盯- │ │ └—┴—┴—┴——┴—┘ 柱形晶粒的多晶硅太阳能电池的太阳能电池。图示为这种多晶硅太阳能电池的示意图. (3)片状多晶硅: 当液体硅滴到旋转的平台上，很快可以形成一片厚约0.1~o·2 mm的多晶硅片。用这种称为滴转法制成的多晶硅太阳能电池，效率已突破10%. (4)带状多晶硅:直接从硅液中拉出多晶带作为电池的羞体材料，然后用激光切割成方形太阳能电池基片.它不擂机械切割，可节省一半硅材料，还可节省为消除机械切割损伤所必需的清洗、腐蚀试剂和人工。这种降低成本的途径已引起人们的注意.