陶瓷基片，氮化铝陶瓷的用途

本文目录一览

1，氮化铝陶瓷的用途
2，陶瓷基板与陶瓷基片有什么不同
3，陶瓷基板是什么
4，陶瓷基板的优越性
5，什么是AlN陶瓷

1，氮化铝陶瓷的用途

1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。 2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。工艺路线：氮化铝粉末采用碳热还原氮化法；高导热氮化铝陶瓷基片采用氛常压烧结法。

氮化铝陶瓷的用途

2，陶瓷基板与陶瓷基片有什么不同

陶瓷基片，是以电子陶瓷为基底，对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。斯利通陶瓷基板所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。简单来说，就是基片上没有线路，基板上已经蚀刻了金属线路。

虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

陶瓷基板与陶瓷基片有什么不同

3，陶瓷基板是什么

陶瓷基板的特点 ◆机械应力强，形状稳定；高强度、高导热率、高绝缘性；结合力强，防腐蚀。 ◆ 极好的热循环性能，循环次数达5万次，可靠性高。 ◆与PCB板(或IMS基片)一样可刻蚀出各种图形的结构；无污染、无公害。 ◆使用温度宽-55℃～850℃；热膨胀系数接近硅，简化功率模块的生产工艺。

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(AL2Q3)或氮化铝(ALN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

陶瓷基板是什么

4，陶瓷基板的优越性

◆陶瓷基板的热膨胀系数接近硅芯片，可节省过渡层Mo片，省工、节材、降低成本；◆减少焊层，降低热阻，减少空洞，提高成品率；◆在相同载流量下 0.3mm厚的铜箔线宽仅为普通印刷电路板的10%；◆ 优良的导热性，使芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性；◆ 超薄型(0.25mm)陶瓷基板可替代BeO，无环保毒性问题；◆载流量大，100A电流连续通过1mm宽0.3mm厚铜体，温升约17℃；100A电流连续通过2mm宽0.3mm厚铜体，温升仅5℃左右；◆热阻低，10×10mm陶瓷基板的热阻0.63mm厚度陶瓷基片的热阻为0.31K/W ，0.38mm厚度陶瓷基片的热阻为0.19K/W，0.25mm厚度陶瓷基片的热阻为0.14K/W。◆ 绝缘耐压高，保障人身安全和设备的防护能力。◆ 可以实现新的封装和组装方法，使产品高度集成，体积缩小。

5，什么是AlN陶瓷

　　氮化铝陶瓷（Aluminium Nitride Ceramic）编辑本段结构　　氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。编辑本段性能：　　AIN陶瓷的性能与制备工艺有关。如热压烧结AIN陶瓷，其密度为3 .2一3 .3g/cm3，抗弯强度350一400 MPa(高强型900 MPa)，弹性模量310 GPa，热导率20-30W.m(-1).K(-1)，热膨胀系数5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。机械加工性和抗氧化性良好。编辑本段应用　　：　　1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。　　2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。　　3.氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位. 　　4.利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。　　5.氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。